Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы
Размер большой стороны коллекторной области:
lK1 = lБ1 + dК2 + dК1=58,5 + 39 = 97,5 мкм.
lК2 = lБ2 + 2∙dК2= 67+ 39 = 106 мкм.
Размер окна под разделительную диффузию примем lор = аmin = 4 мкм.
Тогда размер между коллекторными областями в плане (ширина изолирующего канала):
B = lOP + 2∙Хпер(К-П)=4 + 2 ∙ 2 = 8 мкм.
Окончательно: lКК = 8 мкм lК2 = 97,5 мкм ln+ = 12 мкм lOP = 4 мкм
lКП= 13 мкм lК1= 106 мкм в = 8 мкм
Расчет геометрических размеров резисторов
Расчет геометрических размеров интегрального полупроводникового резистора начинают с определения его ширины. За расчетную ширину b резистора принимают значение, которое не меньше наибольшего значения одной из трех величин: bтехн, bточн, bр, т.е. 
, где bтехн - минимальная ширина резистора, определяемая разрешающей способностью технологических процессов (4 мкм); bточн - минимальная ширина резистора, при которой обеспечивается заданная погрешность геометрических размеров; bр - минимальная ширина резистора, определяемая из максимально допустимой мощности рассеяния.
Расчет геометрических размеров резистора R1-R3, R5, R6 (Б.О.):
|
|
|
;
;
где 
Расчет геометрических размеров резистора R4(Б.О.):
|
|
|
;
где 
Расчет геометрических размеров резистора R7-9(Б.О.):
|
|
К-во Просмотров: 580
Бесплатно скачать Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы
|
;