Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

, при Uпр б-э = 5 В.

Окончательно:

VT1…VT3

Для дальнейших расчетов выберем транзистор VT5 и примем его за базовый элемент нашей ИМС.

Расчет режимов диффузии базовой области.

При двухстадийной диффузии распределение примеси подсчитывается по закону Гаусса:

,

где N – концентрация примеси, .

Q – поверхностная концентрация примеси, .

- диффузионная длина.

Учитывая, что коллектор легирован равномерно и зная концентрацию примеси на поверхности базы и под переходом Б-К (на глубине ), можно записать:

1) при Х = 0:

(1)

2) при : (2)

,

где – коэффициент диффузии на этапе разгонки базы .

– время процесса разгонки базы.

– доза легирования базы .

Из (1) и (2) получим: ;

Задаемся температурой разгонки базы:

Рис. 2. Температурная зависимость коэффициента диффузии: и - исходная и поверхностная концентрация примеси,