Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

где

Расчет геометрических размеров конденсаторов

Рис.13

Тип конденсаторов выберем на основе базово-коллекторного перехода, т.к. он обладает высокой добротностью, достаточным пробивным напряжением и средней удельной емкостью

Расчет топологии полупроводникового кристалла

1. Определим площадь, занимаемую элементами на кристалле. Площадь, занимаемая активными элементами:

,

где - площадь одного транзистора; n – число активных элементов.

2. Определим площадь под диоды:

где - площадь одного диода;

3. Определим площадь под резисторы:

где m – число резисторов.

3. Определим площадь под конденсаторы:

4. Площадь активной зоны: К – коэффициент запаса, зависит от плотности разводки металлизации.

Процесс сборки упрощается при квадратной форме кристалла:

Интегральная схема 13 выводов (контактных площадок). При термокомпрессии проводом 28 мкм ширина площадки будет равна , где D – диаметр проволоки; K – коэффициент, равный отсюда с запасом 100 мкм. Расстояние между центрами контактных площадок не менее 200 мкм. Линия скрайбирования для уменьшения вероятности скола взята шириной 100 мкм.

Примечания:

1. Проводники металлизации алюминием выполняются толщиной 1 мкм. Ширина проводника определяется из соотношения (находится в пределах 10:20 мкм).