Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

045

Диффузия бором, II стадия

Б

Диффузионная печь СДО-125/3-12

О

Разгонка бора и формирование области скрытого слоя. Боковая диффузия составляет 5,2 мкм. Общее увеличение размера рисунка на пластине относительно фотошаблона ∆l=6 мкм. Для разгонки примеси пластины подвергают высокотемпературному нагреву, которым одновременно осуществляется и отжиг. Во время разгонки происходит окисление кремния.

А

050

Эпитаксия

Б

Установка эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек – ЕТМ 150/200-0,1

О

Наращивание на поверхность пластины эпитаксиальной плёнки n-типа толщиной 9 мкм.

А

055

Окисление

Б

Диффузионная печь СДО-125/3-12

О

Операция проводится в потоке хлороводорода для получения пленки двуокиси кремния на поверхности полупроводниковых пластин, которая будет использоваться в качестве маски в процессе диффузии. Толщина получаемого окисла 0,8 мкм.

На ней в процессе второй фотолитографии формируется защитная маска под локальную (разделительную) диффузию бора с целью создания изолирующих областей р-типа. Окисление проводится в потоке кислорода с изменением его влажности в три этапа: сухой — влажный — сухой.

А

060

Вторая фотолитография

Б

Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”

О

Получение рисунка изолирующих областей.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.