Курсовая работа: Разработка конструкции топологии и технологического процесса изготовления интегральной микросхемы

Б

Диффузионная печь СДО-125/3-12

О

В процессе второй стадии диффузии, проводи­мой, в отличие от первой, в окислительной среде, создается новая пленка SiO2, выполняющая в дальнейшем не только маскирую­щие, но и защитные функции. После разделительной диффузии образуются диффузионные слои р-типа с сопротивлением 2 ... 12 Ом/□. Второй этап двухстадийной диффузии – перераспределение примеси на определенную глубину (формирование области разделения). Проводится при температуре 1050ºС с одновременным термическим оксидированием в течение 24 мин.

А

080

Третья фотолитография

Б

Установка нанесения фоторезиста НВ-100, линия “Лада-125”

О

Аналогично операции 060.

Используется набор фотошаблонов для получения рисунка базовых областей n-p-n транзисторов, конденсаторов и р-кармана для изготовления резисторов (без снятия ф/р). Увеличение размера на пластине относительно фотошаблона ∆l=0,6 мкм.

Подготовка пластин к нанесению фоторезиста.

Обработка пластин в парах трихлорэтилена для улучшения адгезии маски к поверхности пластины, удаления жировых плёнок и других органических соединений.

Нанесение фоторезиста дискретное.

Получение равномерного слоя фоторезиста на поверхности полупроводниковых пластин толщиной 1,1 мкм, с предварительной фильтрацией используемого фоторезиста ФП-383 на установке нанесения НВ-100.

Экспонирование ультрафиолетовым лучом контактное.

Операция переноса изображения с фотошаблона на полученный ранее слой фоторезиста.

Проявление и термообработка фотослоя.

Операция превращения засвеченных участков фотослоя в растворимую соль, с использованием 5%-го раствора гидроокиси калия в качестве проявителя. Последующая термообработка проводится в два этапа:

1-й этап: 30 минут при температуре 90ºС.

2-й этап: 60 минут при температуре 150ºС

Контроль горизонтальных размеров рисунка.

Удаление фоторезиста в смеси неорганических кислот.

Травление двуокиси кремния.

Удаление пленки окисла из полученных окон для последующего процесса ионной имплантации примеси с помощью буферного травителя: HF : NH4F : H2O=1:3:7

Контроль фотолитографии.

Контроль ухода линейных размеров полученного рисунка по отношению к маске.

А