Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
DBC . RC П - подложка
коллектор 
Рис. 2. Модель Эберса – Молла.
1) расчёт температурного потенциала.
;
- постоянная Больцмана;
Кл - элементарный заряд.
T - текущая температура в Кельвинах.
2) расчёт тока насыщения, зависящего от температуры и
напряжения между эмиттером и коллектором.
iso - ток насыщения при TNOM;
VA – напряжение Эрли;
EG – ширина запрещённой зоны;
TNOM – номинальная температура в Кельвинах.
3) определения величины IС и UС - ток и напряжение на диоде при переходе на линейный участок.
; 
;
RJ – минимальное дифференциальное сопротивление перехода;
4) перевод температурного коэффициента в систему С.
TCB (в системе С) = TCB*10-6 (в PPM) .
5) поправка коэффициентов передачи по току в схеме с ОЭ на температуру.
BF (исправленное) = BF * (1 + (T-TNOM) * TCB;
BR (исправленное) = BR * (1 + (T-TNOM) * TCB.
BF – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для нормального включения.
BR – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для инверсного включения.
6) Математическое описание зависимости тока диода DBE от напряжения на
нем.