Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

при ;

д) Математическое описание зависимости тока диода DBC от напряжения на

нем.

при ;

при ;

e) математическое описание управляемого источника тока.

.

ж) расчёт токов коллектора и эмиттера;

i_k = i_у - i_кб ; i_э = i_у + i_эб ;

и) расчёт барьерной емкости перехода ЭБ;.

при ;

при ;

CJEO – барьерная емкость перехода ЭБ при нулевом смещении;

VJE – контактная разность потенциалов для переходов ЭБ;

MJE – показатель степени в выражении для барьерной емкости.

к) расчёт диффузионной емкости перехода ЭБ.

при >0;

TAUF – среднее время пролета носителей через базу в нормальном режиме.

л) расчёт емкости CBE .

CBE = CJE+CDE ;

м) расчёт барьерной емкости перехода КБ.

при ;

при ;

CJCO – барьерная емкость перехода КБ при нулевом смещении;

VJC – контактная разность для переходов КБ;

MJC – показатель степени в выражении для барьерной емкости.

н) расчёт диффузионной емкости перехода КБ.

при >0;

CDC = 0 при 0;