Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

st:=1e4000;

end

else

begin

st:=exp((b) * ln(a));

end;

end;

end;

Procedure Model(Ueb,Ucb:extended;var Ieb,Icb,Ib,Iy:extended);

Begin

If Ueb > Uc then Ieb := 1 / BF * (Ic+ (Ueb - Uc) / RJ )

else Ieb :=1 / BF * Is * (st(expon,Ueb / FIt) -1);

If Ucb > Uc then Icb:= 1/BR * (Ic + (Ucb-Uc)/RJ)

else Icb:= 1/BR * Is* (st(expon, Ucb/FIt)-1);

Ib:= Ieb + Icb;

Iy:= Ieb*BF - Icb*BR;

end;

procedure InputTrans;

Label 1,2,3;

begin

clrscr;

BF:=75;

BR:= 0.3;

TCB:=2500;

Is0:=3.5e-15;

EG:=1.11;

CJC0:=4e-12;

CJE0:=1.2e-12;

RB:=67;