Реферат: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре

x

Рис.1.

На контактах прибора задано условие Дирихле:

j | BC = Uu

j | DE = U з

j | FG = Uc

j | AH = Un

На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение

однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры

относительно линий лежащих на отрезках AB иGH :

d j = 0 d j = 0

dy AB dy GH

На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана

означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического

тока:

d j = 0 d j = 0

dy DC dy EF

На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие

сопряжения :

j | -0 = j | +0

e ok E x |-0 - e nn E x |+0 = - Qss

где Qss -плотность поверхностного заряда;

e ok -диэлектрическая проницаемость окисла кремния;

e nn -диэлектрическая проницаемость полупроводника .

Под символом “+0 ” и”- 0 ” понимают что значение функции беретсябесконечно близко к границе CF со стороны либо полупроводникалибо окисла кремния . Здесь первое условие означает непрерывностьпотенциала при переходе границы раздела сред а второе - указывает соотношение связывающее величину разрыва вектора напряженностипри переходе из одной среды в другую с величиной поверхностногозаряда на границе раздела.

ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К

РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ

Использование разностных схем для решения уравнения Пуассона и для граничных условий раздела сред

Уравнение Пуассона

В области{(x,y) : 0 < x < Lx , 0 < y < Ly } вводится сетка

W={(x,y) : 0 < i < M1 , 0 < j < M2 }

x0 =0 , y0 =0, x M 1 = Lx , y M 2 = Ly

xi+1 = xi + hi+1 , yj+1 = yj + rj+1

i = 0,...,M1 -1 j = 0,...,M2 -1


Потоковые точки:

xi+ ½ = xi + hi+1 , i = 0,1,...,M1 -1

2

yj+ ½ = yj + rj+1 , j = 0,1,...,M2 -1

2

Обозначим :

U (xi ,yj ) = Uij

I(xi+½ ,yj ) = Ii+½,j

I(xi ,yj+½ ) = Ii,j+½

Проинтегрируем уравнение Пуассона:

Dj = - q (N d + N a )

e 0 e n

Q(x,y)

по области:

V ij = { (x,y) : xi- ½ < x < xi+ ½ , yj- ½ < y < yj+ ½ }

xi+ ½ yj+ ½ xi+ ½ yj+ ½

ò ò Dj dxdy = ò ò Q(x,y)dxdy

xi- ½ yj- ½ xi- ½ yj- ½

Отсюда:

К-во Просмотров: 1046
Бесплатно скачать Реферат: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре