Реферат: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛА В МДП-СТРУКТУРЕ

Математическая модель - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 3

ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К

РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ

Использование разностных схем для решения

уравнения Пуассона и для граничных условий

раздела сред

Уравнение Пуассона - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 5

Граничные условия раздела сред - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 8

Общий алгоритм численого решения задачи

Метод установления - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 10

Метод переменных направлений - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 13

Построение разностных схем - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 16

ПРИЛОЖЕНИЕ - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

ЛИТЕРАТУРА - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

Математическая модель распределения потенциала в МДП-структуре

Математическая модель

Пустьj ( x,y ) - функция, описывающая распределение потенциала в полупроводниковой структуре. В области оксла (С DEF ) она удовлетворяет уравнению Лапласа:

d² j ₊ d² j _{= 0}

dx² dy²

а в области полупроводника (прямоугольник ABGH ) - уравнению Пуассона:

d² j ₊ d² j _{= 0}

dx² dy²

где

q - элементарный заряд e ;

e _nn -диэлектрическая проницаемость кремния;

N _d (x,y) -распределение концентрации донорской примеси в подложке ;

N _a ( x,y ) -распределение концентрации акцепторной примеси в подложке;

e ₀ -диэлектрическая постоянная

_{0 D E}

_y

_{B G}

^{C F}

--> ЧИТАТЬ ПОЛНОСТЬЮ <--