Реферат: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре
x
|
На контактах прибора задано условие Дирихле:
j | BC = Uu
j | DE = U з
j | FG = Uc
j | AH = Un
На боковых сторонах полупроводниковой структуры требуется выполнение
однородного условия Неймана вытекающее из симметричности структуры
относительно линий лежащих на отрезках AB иGH :
d j = 0 d j = 0
dy AB dy GH
На боковых сторонах окисла так же задается однородное условие Неймана
означающее что в направлении оси OY отсутствует течение электрического
тока:
d j = 0 d j = 0
dy DC dy EF
На границе раздела структуры окисел- полупроводник ставится условие
сопряжения :
j | -0 = j | +0
e ok E x |-0 - e nn E x |+0 = - Qss
где Qss -плотность поверхностного заряда;
e ok -диэлектрическая проницаемость окисла кремния;
e nn -диэлектрическая проницаемость полупроводника .
Под символом “+0 ” и”- 0 ” понимают что значение функции беретсябесконечно близко к границе CF со стороны либо полупроводникалибо окисла кремния . Здесь первое условие означает непрерывностьпотенциала при переходе границы раздела сред а второе - указывает соотношение связывающее величину разрыва вектора напряженностипри переходе из одной среды в другую с величиной поверхностногозаряда на границе раздела.
ПРИМЕНЕНИЕ МАТЕМАТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ К
РЕШЕНИЮ ЗАДАЧИ
Использование разностных схем для решения уравнения Пуассона и для граничных условий раздела сред
Уравнение Пуассона
В области{(x,y) : 0 < x < Lx , 0 < y < Ly } вводится сетка
W={(x,y) : 0 < i < M1 , 0 < j < M2 }
x0 =0 , y0 =0, x M 1 = Lx , y M 2 = Ly
xi+1 = xi + hi+1 , yj+1 = yj + rj+1
i = 0,...,M1 -1 j = 0,...,M2 -1
Потоковые точки:
xi+ ½ = xi + hi+1 , i = 0,1,...,M1 -1
2
yj+ ½ = yj + rj+1 , j = 0,1,...,M2 -1
2
Обозначим :
U (xi ,yj ) = Uij
I(xi+½ ,yj ) = Ii+½,j
I(xi ,yj+½ ) = Ii,j+½
Проинтегрируем уравнение Пуассона:
Dj = - q (N d + N a )
e 0 e n
Q(x,y)
по области:
V ij = { (x,y) : xi- ½ < x < xi+ ½ , yj- ½ < y < yj+ ½ }
xi+ ½ yj+ ½ xi+ ½ yj+ ½
ò ò Dj dxdy = ò ò Q(x,y)dxdy
xi- ½ yj- ½ xi- ½ yj- ½
Отсюда: