Реферат: Моделирование распределения потенциала в МДП-структуре
yj-½ xi-½
xi+ ½ yj+ ½
= ò ò Q(x,y)dxdy
xi- ½ yj- ½
Здесь:
Ex (x,y) = - d j (x,y)
dx (*)
Ey (x,y) = - d j (x,y)
dy
x у -компоненты вектора напряженности электрического поля Е .
Предположим при
yj-½ < y < yj- ½ Ex (xi + ½ ,yj ) = Ei+ ½ ,j = const
yj-½ < y < yj- ½ Ex(xi - ½ ,yj ) = Ei- ½ ,j = const (**)
xi-½ < x < xi+ ½ Ey(xi , yj + ½ ) = Ei,j+ ½ = const
xi-½ < x < xi+ ½ Ey(xi , yj -½ ) = Ei,j - ½ = const
xi- ½ < x < xi+ ½
yj- ½ < y < yj+ ½ - Q(x,y) = Qij = const
Тогда
(Ex )i+ ½ ,j - (Ex )i -½ ,j r* j + (Ey )ij+ ½ - (Ey )ij- ½ h* i = Qij h* i r* j
где h* i = hi - hi+1 , r* j = rj - rj+1
2 2
Теперь Еi+ ½ ,j выражаем через значение j (x,y) в узлах сетки:
xi+1
òE x(x,yj )dx = - j i+1,j - j ij
xi
из (* *) при y=yj :
(Ex )i+ ½ ,j = - j i+1j - j ij
hi+1
Анологично :
(Ey )i,j+ ½ = - j ij+1 - j ij
rj+1
Отсюда:
( Dj )ij = 1 j i+1,j - j ij - j i j - j i-1,j + 1 j i j+1 - j ij - j ij - j ij-1 =
h* i hi+1 hi r* j rj+1 rj
= N dij + N aij
Граничные условия раздела сред
SiO2
e1
Si y
en
x
Для области V 0j
yj+ ½ x ½
e n e 0 ò (Ex (x ½ ,y) - E+ x (0,y))dy + e n e 0 ò (Ey (x,yj+ ½ ) - Ey (x,j- ½ ))dx =
yj- ½ 0
x ½ yj+½
= q ò ò ( N d + N a ) dxdy